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热裂缝主要是在1250度以上产生的高温裂缝，奥氏体不锈钢比奥氏体-铁元素体不锈钢更易产生，奥氏体不锈钢在状态图中液相线和固相线间距大，既凝固过程有较大的温度范围，使低熔点偏析严重而集中于晶间处，此外，奥氏体不锈钢的膨胀系数大，冷却收缩时候应力大，也容易产生热裂缝。通过选择适当的不锈钢材料和焊丝，恰当的焊接工艺和焊后，可以提高单晶炉炉室壳体的抗腐蚀性能，改善密闭性，从而对提高整台单晶炉设备的可靠性起到关重要的作用。

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支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。进一步地，所述加热片10能够上下。加热片10能够上下是为了方便操作人员具体控制保温屏9和上反射屏5的温度，当需要调节保温屏9的温场时，可以加热片10使其更靠近保温屏9，当需要调节上反射屏5的温场时，可以加热片10使其更靠近上反射屏5。