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具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。

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主要部件采用石墨材料和炭毡材料[1]。根据各部分的能，可以大致分为加热系统，传热及支撑系统，导流系统，保温系统等。如加热系统包括加热器，石墨电极，连接螺栓等部件，传热及支撑系统包括石墨坩埚，石英坩埚，托盘，坩埚轴等部件，导流系统包括导流筒等部件，保温系统包括保温盖，保温筒，保温炭毡等部件。热场温度区域的分布，直接影响了拉晶生产是否能顺利进行。并保持在一定温度下进行单晶生长的整个温度场系统直拉硅单晶热场加热器设计分析\1热场及加热器简介直拉硅单晶炉的热场是指为了熔化硅料以及晶棒的拉速和品质。而石墨加热器作为加热系统的核心部件2加热器的工作原理与使用要求。半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛，尤其近几年，大力发展半导体产业，缩短该行业与水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料，但未来几年可以预见，硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质，将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料，应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化，让硅原子按照人为设定的方向进行生长，终形成的。随着新兴产业的科技创新半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来一般会采用直拉法进行。晶圆的直径越大，集成电路的成本将会越低，因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计，工艺的过程控制，减少位错的产生，以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。